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Le sommaire
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I) Structure et fonctionnement

A. L'effet transistor
B. Réseaux de caractéristiques
C. Linéarisation et schéma équivalent simplifié en petits signaux (en régime sinusoïdal)

II) L'amplification : calcul d'un étage amplificateur en émetteur commun (avec ou sans résistance d'émetteur)

A. Polarisation (résistance ou pont de base)
B. Gain. Cas du découplage partiel
C. Impédance d'entrée. Gain apparent
D. Droite de charge. Excursion de sortie
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Résumé du document
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La présence d'un pont de base et d'une résistance dans l'émetteur est un facteur de stabilisation du montage en continu, mais le gain diminue. On peut choisir un moyen terme en court-circuitant tout ou partie de la résistance d'émetteur en alternatif, au moyen d'un condensateur. On dit qu'on a découplé l'émetteur (sous entendu : l'émetteur, relié à la masse, n'est plus soumis aux variations comme le reste du montage) (...)

Extraits

[...] Il est tout de même intéressant de faire remarquer dès maintenant l'un des avantages du montage avec RE. On dispose d'un tel montage dont le transistor ne fonctionne pas. Si l'on remplace le transistor par un autre de β très différent, soit β = 75, on obtient = -9,7. La différence est faible, le montage est donc assez indépendant de β. La présence d'un pont de base et d'une résistance dans l'émetteur est un facteur de stabilisation du montage en continu, mais le gain diminue. [...]


[...] Réseaux de caractéristiques L'entrée d'un transistor, entre base et émetteur, est une diode conductrice. Sa caractéristique est donc connue. Le seuil de conduction est égal à 0,6V pour un transistor au silicium. figure 3 A la sortie du transistor le courant IC est proportionnel au courant IB. Toutefois, si la tension VCE est trop faible, on constate que le courant diminue. C'est l'effet représenté cicontre pour les faibles valeurs de VCE. figure Linéarisation et schéma équivalent simplifié en petits signaux (en régime sinusoïdal) Nous allons linéariser le transistor pour l'utiliser en régime sinusoïdal. [...]


[...] découplage total découplage partiel Le condensateur CE est appelé condensateur de découplage. c. Impédance d'entrée. Gain apparent L'entrée est un circuit passif auquel s'applique la loi d'ohm. On définit l'impédance d'entrée v par : Ze = e . ie On peut écrire : i i + iRB2 + i B Ye = e = RB1 ve ve i + + B R B1 R B2 ve Ye = iB 1 = ve h11 + (β + 1)RE On a donc Ze = RB1//RB2//[ h11 + (β + 1)R E ] Dans le cas du montage avec résistance de base et sans résistance d'émetteur on a : Ze = RB//h11 ve = h11iB + REiE = h11iB + RE(β + 1)iB d. [...]


[...] On peut donc obtenir des variations de tension beaucoup plus grandes à la sortie que celles appliquées à l'entrée Dans le cas du montage de la figure 5c (sans résistance d'émetteur et une seule résistance de polarisation de la base) on peut remarquer que l'expression du gain ne dépend pas de façon explicite des résistances de base. On peut donc calculer le gain de ce montage en faisant RE = 0. βR C = h11 Origine du mot transistor : β β ve (quand RE = 0). On pose = s. s est appelée la pente On a iC = βi B = h11 h11 du transistor. Sa dimension est [Ω]-1. C'est l'inverse d'une "résistance" qui relie la tension d'entrée et le courant de sortie, appelée pour cela TRANsfer reSISTOR. [...]


[...] 9 ELI3_Module A1 Chapitre 2 : Les Le transistor à jonctions (bipolaire) éléments actifs à semi-conducteurs 1 I. Structure et fonctionnement 1. L'effet transistor L'effet transistor a été découvert par Bardeen, Bardsley et Schokley ce qui leur a valu le prix Nobel en 1956. Un transistor est un morceau de semi-conducteur dopé en trois zones alternées : NPN ou PNP. Transistor de type PNP Transistor de type NPN Le fonctionnement dépend de quatre conditions : •Deux conditions de fabrication -La base est mince -La zone émetteur est beaucoup plus dopée que les zones de base ou de collecteur. [...]

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Informations sur le doc

Date de publication
05/10/2010
Langue
français
Format
pdf
Type
dissertation
Nombre de pages
8 pages
Niveau
grand public

Informations sur l'auteur Karin A. (étudiant)

Niveau
Grand public
Etude suivie
droit des...
Note du document :
         
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