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Le sommaire
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I) Structure et fonctionnement

A. L'effet transistor
B. Réseaux de caractéristiques
C. Linéarisation et schéma équivalent simplifié en petits signaux (en régime sinusoïdal)

II) L'amplification : calcul d'un étage amplificateur en émetteur commun (avec ou sans résistance d'émetteur)

A. Polarisation (résistance ou pont de base)
B. Gain. Cas du découplage partiel
C. Impédance d'entrée. Gain apparent
D. Droite de charge. Excursion de sortie
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Résumé du document
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La présence d'un pont de base et d'une résistance dans l'émetteur est un facteur de stabilisation du montage en continu, mais le gain diminue. On peut choisir un moyen terme en court-circuitant tout ou partie de la résistance d'émetteur en alternatif, au moyen d'un condensateur. On dit qu'on a découplé l'émetteur (sous entendu : l'émetteur, relié à la masse, n'est plus soumis aux variations comme le reste du montage) (...)

Extraits

[...] Réseaux de caractéristiques L'entrée d'un transistor, entre base et émetteur, est une diode conductrice. Sa caractéristique est donc connue. Le seuil de conduction est égal à 0,6V pour un transistor au silicium. figure 3 A la sortie du transistor le courant IC est proportionnel au courant IB. Toutefois, si la tension VCE est trop faible, on constate que le courant diminue. C'est l'effet représenté cicontre pour les faibles valeurs de VCE. figure Linéarisation et schéma équivalent simplifié en petits signaux (en régime sinusoïdal) Nous allons linéariser le transistor pour l'utiliser en régime sinusoïdal. [...]


[...] l'entrée, la diode base émetteur conductrice a pour équation : Pour les transistors, n est voisin de 1. I V dI B dVBE log B = BE = I B0 Ψ IB nΨ dVBE Ψ . La diode peut être représentée par sa résistance = h11 dI B IB différentielle notée h11. la sortie On a IC = βIB soit dIC = βdIC. En remplaçant les variations discrètes par des variations sinusoïdales de faible amplitude : iC = βiB. On en déduit le schéma équivalent ci-contre : Figure 4 II. [...]


[...] découplage total découplage partiel Le condensateur CE est appelé condensateur de découplage. c. Impédance d'entrée. Gain apparent L'entrée est un circuit passif auquel s'applique la loi d'ohm. On définit l'impédance d'entrée v par : Ze = e . ie On peut écrire : i i + iRB2 + i B Ye = e = RB1 ve ve i + + B R B1 R B2 ve Ye = iB 1 = ve h11 + (β + 1)RE On a donc Ze = RB1//RB2//[ h11 + (β + 1)R E ] Dans le cas du montage avec résistance de base et sans résistance d'émetteur on a : Ze = RB//h11 ve = h11iB + REiE = h11iB + RE(β + 1)iB d. [...]


[...] L'excursion de sortie maximum (in english : output swing) en régime sinusoïdal dépend de la position de VCE0 par rapport à ces limites. VCE0 est plus près de 0 que de E : Si on augmente l'amplitude des variations, il y a écrêtage vers le bas. 16 Le signal obtenu n'est pas symétrique, il n'est donc pas sinusoïdal. Le montage ne fonctionne plus en régime linéaire. L'amplitude crête à crête (in english peak to peak) maximum est donc 2xVCE0. VCE0 est plus près de E que de 0 : Si on augmente l'amplitude des variations, il y a écrêtage vers le haut. [...]


[...] RB Dans le circuit de collecteur : E = RCIC = E + VCE. VCE = E RCIC. Le point de polarisation est donc connu. On en déduit I B = Pour le montage à PNP de la figure 5b les équations sont : circuit de base : = -RBIB E = RBIB - VBE circuit de collecteur = -RCIC E = RCIC VCE La différence de signe avec le montage précédent pour VBE et VCE est normale, car ces deux tensions sont négatives pour un PNP (voir figure 1b). [...]

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Informations sur le doc

Date de publication
05/10/2010
Langue
français
Format
pdf
Type
cours
Nombre de pages
8 pages
Niveau
grand public

Informations sur l'auteur Karin A. (étudiant)

Niveau
Grand public
Etude suivie
droit des...
Note du document :
         
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